DMN62D0LFB-7

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DMN62D0LFB-7概述

N沟道,Vdss=60V,Idss=100mA

表面贴装型 N 通道 100mA(Ta) 470mW(Ta) 3-X1DFN1006


得捷:
MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3


立创商城:
N沟道 60V 100mA


贸泽:
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R; 3K


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this DMN62D0LFB-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 470 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.1A 3-Pin DFN T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.1A 3-Pin DFN T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3


DMN62D0LFB-7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.5 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.1A

上升时间 3.4 ns

输入电容Ciss 32pF @25VVds

额定功率Max 470 mW

下降时间 16.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN-3

外形尺寸

长度 1 mm

封装 DFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DMN62D0LFB-7
型号: DMN62D0LFB-7
制造商: Diodes 美台
描述:N沟道,Vdss=60V,Idss=100mA

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