DMN10H099SFG-13概述
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
N-Channel 100V 4.2A Ta 980mW Ta Surface Mount PowerDI3333-8
得捷:
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
贸泽:
MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
DMN10H099SFG-13中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 99 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.31 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 4.2A
上升时间 5.9 ns
输入电容Ciss 1172pF @50VVds
额定功率Max 980 mW
下降时间 7.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 980mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-3333-8
外形尺寸
封装 PowerDI-3333-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free