DTB123ECHZGT116

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DTB123ECHZGT116概述

晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3


得捷:
-500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR


立创商城:
1个PNP-预偏置+二极管 500mA


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


DTB123ECHZGT116中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.2 W

最小电流放大倍数hFE 39 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买DTB123ECHZGT116
型号: DTB123ECHZGT116
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率

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