DRV5012AEDMRT概述
低功耗（低至 3.3μA）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 4-X2SON -40 to 85
数字开关 卡销 推挽式 霍尔效应 4-X2SON（1.1x1.4）
得捷:
ULTRA-LOW POWER DIGITAL-LATCH HA
立创商城:
数字锁存霍尔效应传感器
德州仪器TI:
Low power as low as 3.3-µA, low voltage up to 5.5-V Hall effect latch
艾睿:
Hall Effect Sensor 5mA Latch 1.8V/2.5V/3.3V/5V 4-Pin X2SON EP T/R
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替代型号DRV5012AEDMRT
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DRV5012AEDMRT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
DRV5012AEDMRR 德州仪器 | 完全替代 | DRV5012AEDMRT和DRV5012AEDMRR的区别 |