DDC114EH-7

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DDC114EH-7概述

双极晶体管 - 预偏置

双极 - 预偏置


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563


艾睿:
Do you need a device that can offer the benefits of traditional BJTs with the compatibility for digital signal processors? The NPN DDC114EH-7 digital transistor from Diodes Zetex is your solution. This product&s;s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 30@5mA@5 V. Its maximum power dissipation is 150 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It is made in a dual configuration. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans Digital BJT NPN 100mA 6-Pin SOT-563 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 6-Pin SOT-563 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-563 T/R


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563


DDC114EH-7中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DDC114EH-7
型号: DDC114EH-7
制造商: Diodes 美台
描述:双极晶体管 - 预偏置
替代型号DDC114EH-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DDC114EH-7

Diodes 美台

当前型号

当前型号

EMH11T2R

罗姆半导体

功能相似

DDC114EH-7和EMH11T2R的区别

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