DDTA115EE-7

DDTA115EE-7图片1
DDTA115EE-7中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 20mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-523-3

外形尺寸

封装 SOT-523-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DDTA115EE-7
型号: DDTA115EE-7
制造商: Diodes 美台
描述:Digital Transistors 150mW 100kW 100kW
替代型号DDTA115EE-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DDTA115EE-7

Diodes 美台

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DDTA115EE-7-F

美台

完全替代

DDTA115EE-7和DDTA115EE-7-F的区别

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