DMG2302U-7

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DMG2302U-7概述

DMG2302U-7 编带

表面贴装型 N 通道 20 V 4.2A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23-3


得捷:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3


立创商城:
N沟道 20V 4.2A


贸泽:
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this DMG2302U-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 800 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23


富昌:
DMG2302U 系列 20 V 90 mOhm N沟道 增强模式 Mosfet -SOT-23-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.4A; 0.8W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# DIODES INC.  DMG2302U-7  MOSFET, N CH, 20V, SOT-23


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23


DMG2302U-7中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.8 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.09 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 800 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 4.2A

上升时间 9.8 ns

输入电容Ciss 594.3pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 6.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

DMG2302U-7引脚图与封装图
DMG2302U-7引脚图
DMG2302U-7封装图
DMG2302U-7封装焊盘图
在线购买DMG2302U-7
型号: DMG2302U-7
制造商: Diodes 美台
描述:DMG2302U-7 编带
替代型号DMG2302U-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Diodes 美台

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