DMG2302U-7 编带
表面贴装型 N 通道 20 V 4.2A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23-3
得捷:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
立创商城:
N沟道 20V 4.2A
贸泽:
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this DMG2302U-7 power MOSFET from Diodes Zetex. Its maximum power dissipation is 800 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Allied Electronics:
N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23
富昌:
DMG2302U 系列 20 V 90 mOhm N沟道 增强模式 Mosfet -SOT-23-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.4A; 0.8W; SOT23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# DIODES INC. DMG2302U-7 MOSFET, N CH, 20V, SOT-23
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
额定功率 0.8 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.09 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 800 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 4.2A
上升时间 9.8 ns
输入电容Ciss 594.3pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 6.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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