DMG7401SFGQ-13

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DMG7401SFGQ-13概述

MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

P-Channel 30V 9.8A Ta 940mW Ta Surface Mount PowerDI3333-8


得捷:
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8


艾睿:
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET


安富利:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI3333-8 T&R; 3K


DMG7401SFGQ-13中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 940mW Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 9.8A

上升时间 15.4 ns

输入电容Ciss 2987pF @15VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2200 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerDI-3333-8

外形尺寸

封装 PowerDI-3333-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMG7401SFGQ-13
型号: DMG7401SFGQ-13
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

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