DDTC115ECA-7-F

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DDTC115ECA-7-F概述

NPN - 预偏压 100mA 50V

DDTC115ECA Series 50 V 100 mA NPN Pre-Biased Small Signal Transistor - SOT-23-3


立创商城:
1个NPN-预偏置 100mA 50V


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3


艾睿:
Compared to traditional BJ transistors, the NPN DDTC115ECA-7-F digital transistor from Diodes Zetex is meant to be used with digital signal processing circuits. This product&s;s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 82@5mA@5 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.


安富利:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3


DDTC115ECA-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

额定功率 0.2 W

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 82

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

宽度 1.4 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DDTC115ECA-7-F
型号: DDTC115ECA-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:NPN - 预偏压 100mA 50V
替代型号DDTC115ECA-7-F
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