DDTA113ZUA-7-F

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DDTA113ZUA-7-F概述

双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K 10K

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 SOT-323


立创商城:
DDTA113ZUA-7-F


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K 10K


艾睿:
Look no further than Diodes Zetex&s;s PNP DDTA113ZUA-7-F digital transistor, which can provide a solution to your digital signal processing needs. This product&s;s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 33@10mA@5 V. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It is made in a single configuration. This transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin SOT-323 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin SOT-323 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323


DDTA113ZUA-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 33 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

电源电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DDTA113ZUA-7-F
型号: DDTA113ZUA-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K 10K
替代型号DDTA113ZUA-7-F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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