DMN67D8L-13

DMN67D8L-13图片1
DMN67D8L-13概述

MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

表面贴装型 N 通道 210mA(Ta) 340mW(Ta) SOT-23


得捷:
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23


艾睿:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R


DMN67D8L-13中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 340mW Ta

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 22pF @25VVds

下降时间 5.6 ns

耗散功率Max 340mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DMN67D8L-13
型号: DMN67D8L-13
制造商: Diodes 美台
描述:MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

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