DDTA122TU-7

DDTA122TU-7图片1
DDTA122TU-7概述

TRANS PREBIAS PNP 200mW SOT323

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 0.22K


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 40V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 40V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R


DDTA122TU-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买DDTA122TU-7
型号: DDTA122TU-7
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS PREBIAS PNP 200mW SOT323
替代型号DDTA122TU-7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DDTA122TU-7

Diodes 美台

当前型号

当前型号

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美台

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