ESD5482MUT5G

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ESD5482MUT5G概述

ESD 保护,ESD 系列设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

瞬态电压抑制器,用于 ESD 保护,ESD 系列

设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。

### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


得捷:
TVS DIODE 3.3VWM 7.8VC 2X3DFN


欧时:
### 瞬态电压抑制器二极管,用于 ESD 保护,ESD 系列设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 5V BI-DIRECTIONAL ESD PRO


艾睿:
ESD Suppressor TVS 3.3V 2-Pin X3-DFN T/R


安富利:
ESD Suppressor TVS ±10KV 2-Pin X3DFN T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  ESD5482MUT5G  ESD Protection Device, 9.1 V, X3DFN, 2 Pins, 3.3 V, 300 mW


力源芯城:
ESD保护二极管,双向


Win Source:
TVS DIODE 3.3VWM 7.8VC


ESD5482MUT5G中文资料参数规格
技术参数

工作电压 3.3 V

电容 7 pF

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 5 V

耗散功率 300 mW

钳位电压 9.1 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 0.3 W

最小反向击穿电压 5 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DFN-2

外形尺寸

长度 0.66 mm

宽度 0.36 mm

高度 0.28 mm

封装 DFN-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买ESD5482MUT5G
型号: ESD5482MUT5G
描述:ESD 保护,ESD 系列 设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

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