







ESD 保护,ESD 系列设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
瞬态电压抑制器,用于 ESD 保护,ESD 系列
设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。
### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
得捷:
TVS DIODE 3.3VWM 7.8VC 2X3DFN
欧时:
### 瞬态电压抑制器二极管,用于 ESD 保护,ESD 系列设计用于保护 ESD(静电放电)电压敏感组件。 极佳的夹持能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在 ESD 环境中的设计提供同类最佳保护。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 5V BI-DIRECTIONAL ESD PRO
艾睿:
ESD Suppressor TVS 3.3V 2-Pin X3-DFN T/R
安富利:
ESD Suppressor TVS ±10KV 2-Pin X3DFN T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR ESD5482MUT5G ESD Protection Device, 9.1 V, X3DFN, 2 Pins, 3.3 V, 300 mW
力源芯城:
ESD保护二极管,双向
Win Source:
TVS DIODE 3.3VWM 7.8VC
工作电压 3.3 V
电容 7 pF
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 5 V
耗散功率 300 mW
钳位电压 9.1 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 0.3 W
最小反向击穿电压 5 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DFN-2
长度 0.66 mm
宽度 0.36 mm
高度 0.28 mm
封装 DFN-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17