EMN11T2R

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EMN11T2R概述

Diode Switching 80V 0.3A 6Pin EMD T/R

阵列 2 对共阴极 标准 100mA 表面贴装型 SOT-563,SOT-666


得捷:
DIODE ARRAY GP 80V 100MA EMD6


艾睿:
Diode Switching 80V 0.3A 6-Pin EMD T/R


安富利:
Diode Switching 80V 0.3A 6-Pin EMD T/R


Chip1Stop:
Diode Switching 80V 0.3A 6-Pin EMD T/R


Verical:
Rectifier Diode Switching 80V 0.3A 4ns 6-Pin EMD T/R


Win Source:
DIODE ARRAY GP 80V 100MA EMD6


EMN11T2R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 100 mA

电容 3.50 pF

正向电压 1.2V @100mA

反向恢复时间 4 ns

正向电流 300 mA

正向电压Max 1.2V @100mA

正向电流Max 300 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 150℃ Max

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

长度 1.60 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.4 mm

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

EMN11T2R引脚图与封装图
EMN11T2R引脚图
EMN11T2R封装图
EMN11T2R封装焊盘图
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型号: EMN11T2R
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:Diode Switching 80V 0.3A 6Pin EMD T/R

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