EMT PNP 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
得捷: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
艾睿: Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R
安富利: ROHEMB75T2R
额定功率 0.15 W
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册