EMH10FHAT2R

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EMH10FHAT2R概述

晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率

晶体管 - 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) - 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 EMT6


得捷:
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR CORR


贸泽:
ROHM Semiconductor


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R


EMH10FHAT2R中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.15 W

输出电压 100 mV

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

封装 SOT-563-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买EMH10FHAT2R
型号: EMH10FHAT2R
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率

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