FJV42MTF

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FJV42MTF概述

NPN高压晶体管 NPN High Voltage Transistor

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 350V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 350V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| NPN High Voltage Transistor 描述与应用| NPN高压

FJV42MTF中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

极性 NPN

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FJV42MTF
型号: FJV42MTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN高压晶体管 NPN High Voltage Transistor

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