FQP9N08

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FQP9N08中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 9.30 A

通道数 1

漏源极电阻 210 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 40 W

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 9.30 A

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 250pF @25VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 17 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQP9N08
型号: FQP9N08
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET

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