FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6890A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 800 mV
The is a dual N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench™ process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
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- Fast switching speed
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- Low gate charge
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- High power and current handling capability
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- ±8V Gate to source voltage
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- 7.5A Continuous drain current
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- 20A Pulsed drain current
额定电压DC 20.0 V
额定电流 7.50 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 800 mV
输入电容 2.13 nF
栅电荷 23.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 2130pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDS6890A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS9933BZ 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS6890A和FDS9933BZ的区别 |
IRF8915TRPBF 国际整流器 | 功能相似 | FDS6890A和IRF8915TRPBF的区别 |
IRF8915PBF 国际整流器 | 功能相似 | FDS6890A和IRF8915PBF的区别 |