FDFMA2P857

P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管，Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管， Semiconductor

设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关

独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗

欧时:
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDFMA2P857, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装

贸泽:
MOSFET 20V P-Ch Shtky Diode PowerTrench MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin MicroFET EP T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin MicroFET T/R

富昌:
FDFMA2P857 系列 20 V 120 mOhm 集成 P 沟道 PowerTrench® Mosfet

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin MicroFET T/R

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDFMA2P857  MOSFET Transistor, P Channel + Schottky, -3 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -700 mV

Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2