FDD306P概述
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD306P 晶体管, MOSFET, P沟道, 6.7 A, -12 V, 90 mohm, -4.5 V, -500 mV
The is a 1.8V specified P-channel MOSFET uses "s advanced low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management.
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- Fast switching speed
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- High power and current handling capability
FDD306P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -6.70 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 90 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 52 W
输入电容 1.29 nF
栅电荷 15.0 nC
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 12 V
连续漏极电流Ids 6.70 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1290pF @6VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 41 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 52W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDD306P
型号： FDD306P
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD306P 晶体管, MOSFET, P沟道, 6.7 A, -12 V, 90 mohm, -4.5 V, -500 mV