FJE3303H2TU参数规格_中文资料_数据手册PDF

FJE3303H2TU概述

NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 1.5A 4MHz 20W Through Hole TO-126-3

得捷:
TRANS NPN 400V 1.5A TO126-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail

Verical:
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail

DeviceMart:
TRANSISTOR PWR NPN FAST HV TO126

FJE3303H2TU中文资料参数规格

技术参数

频率 4 MHz

额定电压DC 400 V

额定电流 1.50 A

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 20 W

漏源击穿电压 700 V

连续漏极电流Ids 1.50 A

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 14 @500mA, 2V

额定功率Max 20 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 20 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJE3303H2TU

型号： FJE3303H2TU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

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替代型号FJE3303H2TU

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