FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC86102LZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 100 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.6 V
The is a N-channel Logic Level MOSFETs produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the ON-state resistance and yet maintains superior switching performance. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage level.
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- 100% UIL tested
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- >6kV Typical HBM ESD protection level
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 41 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 2.3 ns
输入电容Ciss 1290pF @50VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 2.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 41W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.75 mm
封装 Power-33-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDMC86102LZ Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDMC86102L 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDMC86102LZ和FDMC86102L的区别 |