FDPF10N50FT中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 42 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 1170pF @25VVds
额定功率Max 42 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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型号： FDPF10N50FT
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道MOSFET 500V ， 9A ， 0.85Ω N-Channel MOSFET 500V, 9A, 0.85Ω