FQP6N70参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQP6N70概述

700V N沟道MOSFET 700V N-Channel MOSFET

N-Channel 700V 6.2A Tc 142W Tc Through Hole TO-220-3

得捷:
6.2A, 700V, 1.5OHM, N-CHANNEL,

立创商城:
N沟道 700V 6.2A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

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Trans MOSFET N-CH 700V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

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Trans MOSFET N-CH 700V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

Win Source:
MOSFET N-CH 700V 6.2A TO-220

FQP6N70中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 700 V

额定电流 6.20 A

漏源极电阻 1.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 142 W

漏源极电压Vds 700 V

漏源击穿电压 700 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 6.20 A

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 1400pF @25VVds

额定功率Max 142 W

下降时间 50 ns

耗散功率Max 142W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP6N70

型号： FQP6N70

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：700V N沟道MOSFET 700V N-Channel MOSFET

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替代型号FQP6N70

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