FQU5N50TU

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FQU5N50TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 3.50 A

漏源极电阻 1.80 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

输入电容Ciss 610pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQU5N50TU
型号: FQU5N50TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 3.5A 3Pin3+Tab IPAK Rail
替代型号FQU5N50TU
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FQU5N50TU

Fairchild 飞兆/仙童

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飞兆/仙童

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FQU5N50TU和FQU5N50的区别

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