


PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
**General Description**
This package integrates two N-Channel devices connected internally in common-source configuration. This enables very low package parasitics and optimized thermal path to the common source pad on the bottom. Provides a very small
footprint 3.3 x 5 mm for higher power density.
**Features**
Max rDSon = 20 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7 A
Max rDSon = 32 mΩ at VGS = 6 V, ID = 5.5 A
Ideal for flexible layout in secondary side synchronous rectification
Termination is Lead-free and RoHS Compliant
100% UIL tested
**Applications**
Isolated DC-DC Synchronous Rectifiers
Common Ground Load Switches
极性 N-CH
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 2.6 ns
输入电容Ciss 980pF @50VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 2.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 23 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerWDFN-8
长度 5.1 mm
宽度 3.4 mm
高度 0.75 mm
封装 PowerWDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free