FDMD84100

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FDMD84100概述

PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

**General Description**

This package integrates two N-Channel devices connected internally in common-source configuration. This enables very low package parasitics and optimized thermal path to the common source pad on the bottom. Provides a very small

footprint 3.3 x 5 mm for higher power density.

**Features**

Max rDSon = 20 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7 A

Max rDSon = 32 mΩ at VGS = 6 V, ID = 5.5 A

Ideal for flexible layout in secondary side synchronous rectification

Termination is Lead-free and RoHS Compliant

100% UIL tested

**Applications**

Isolated DC-DC Synchronous Rectifiers

Common Ground Load Switches

FDMD84100中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 2.6 ns

输入电容Ciss 980pF @50VVds

额定功率Max 2.1 W

下降时间 2.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 23 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerWDFN-8

外形尺寸

长度 5.1 mm

宽度 3.4 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerWDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMD84100
型号: FDMD84100
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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