FDU3706

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FDU3706中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 50.0 A

漏源极电阻 9.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.8W Ta, 44W Tc

输入电容 1.88 nF

栅电荷 16.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

上升时间 15.0 ns

输入电容Ciss 1882pF @10VVds

耗散功率Max 3.8W Ta, 44W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: FDU3706
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET

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