200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFET
P-Channel 200 V 8.6A Tc 70W Tc Through Hole TO-3PF
得捷:
MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PF
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P沟道 200V 8.6A
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MOSFET 200V P-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 200V 8.6A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail
额定电压DC -200 V
额定电流 -8.60 A
通道数 1
漏源极电阻 470 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 11.5 A
上升时间 195 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99