双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET
立创商城:
2个N沟道 20V 7.5A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
额定电压DC 20.0 V
额定电流 8.00 A
漏源极电阻 18.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.00 W
输入电容 1.29 nF
栅电荷 12.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
上升时间 14.0 ns
输入电容Ciss 1286pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99