FDS6892AZ

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FDS6892AZ概述

双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC


得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET


立创商城:
2个N沟道 20V 7.5A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R


Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC


FDS6892AZ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 8.00 A

漏源极电阻 18.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.00 W

输入电容 1.29 nF

栅电荷 12.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 7.50 A

上升时间 14.0 ns

输入电容Ciss 1286pF @10VVds

额定功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS6892AZ
型号: FDS6892AZ
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET

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