800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
N-Channel 800V 6.7A Tc 113W Tc Through Hole TO-3PF
得捷:
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
立创商城:
N沟道 800V 6.7A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.7A 3-Pin3+Tab TO-3PF Rail
额定电压DC 800 V
额定电流 9.80 A
漏源极电阻 1.05 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 113W Tc
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.70 A
输入电容Ciss 2700pF @25VVds
额定功率Max 113 W
耗散功率Max 113W Tc
安装方式 Through Hole
封装 SC-94
封装 SC-94
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQAF10N80 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SPA04N80C3 英飞凌 | 功能相似 | FQAF10N80和SPA04N80C3的区别 |
SPP08N80C3 英飞凌 | 功能相似 | FQAF10N80和SPP08N80C3的区别 |