FJNS4209RBU

FJNS4209RBU图片1
FJNS4209RBU图片2
FJNS4209RBU图片3
FJNS4209RBU图片4
FJNS4209RBU图片5
FJNS4209RBU中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 3.7 mm

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FJNS4209RBU
型号: FJNS4209RBU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Transistors Switching - Resistor Biased PNP/50V/100mA/4.7K

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台