FQPF5N60CYDTU

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FQPF5N60CYDTU概述

N沟道 600V 4.5A

N-Channel 600V 4.5A Tc 33W Tc Through Hole TO-220F-3 Y-Forming


得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3


立创商城:
N沟道 600V 4.5A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


FQPF5N60CYDTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 4.50 A

漏源极电阻 2.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 33W Tc

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

输入电容Ciss 670pF @25VVds

额定功率Max 33 W

耗散功率Max 33W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF5N60CYDTU
型号: FQPF5N60CYDTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道 600V 4.5A

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