300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET
N-Channel 300 V 5.4A Tc 70W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 300V 5.4A TO220-3
立创商城:
N沟道 300V 5.4A
贸泽:
MOSFET 300V N-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 5.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
额定电压DC 300 V
额定电流 5.40 A
通道数 1
漏源极电阻 900 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 300 V
漏源击穿电压 300 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.40 A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 430pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQP5N30 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP7NK30Z 意法半导体 | 功能相似 | FQP5N30和STP7NK30Z的区别 |
STP7NB30 意法半导体 | 功能相似 | FQP5N30和STP7NB30的区别 |
FQP7N30 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQP5N30和FQP7N30的区别 |