FDR858P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -8.00 A
漏源极电阻 19.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.8W Ta
输入电容 2.01 nF
栅电荷 21.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 15.0 ns
输入电容Ciss 2010pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
耗散功率Max 1.8W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-8
外形尺寸
封装 SMD-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDR858P
型号： FDR858P
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：单P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
替代型号FDR858P
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDR858P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SI6435DQ 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDR858P和SI6435DQ的区别 |