FQPF6N60C参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQPF6N60C概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF6N60C 功率场效应管, MOSFET, 通用, N沟道, 5.5 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V

N-Channel 600V 5.5A Tc 40W Tc Through Hole TO-220F

得捷:
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220F

立创商城:
N沟道 600V 5.5A

贸泽:
MOSFET N-CH/600V/6A/QFET

e络盟:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF6N60C 功率场效应管, MOSFET, 通用, N沟道, 5.5 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail

Win Source:
600V N-Channel MOSFET

FQPF6N60C中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 5.50 A

针脚数 3

漏源极电阻 2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 40 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.50 A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 810pF @25VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF6N60C

型号： FQPF6N60C

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF6N60C 功率场效应管, MOSFET, 通用, N沟道, 5.5 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V

立即咨询

替代型号FQPF6N60C

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FQPF6N60C Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FDPF5N60NZ 飞兆/仙童	类似代替	FQPF6N60C和FDPF5N60NZ的区别
FDPF8N60ZUT 飞兆/仙童	类似代替	FQPF6N60C和FDPF8N60ZUT的区别
STP55NF06 意法半导体	功能相似	FQPF6N60C和STP55NF06的区别