FDA15N65概述
650V N沟道MOSFET 650V N-Channel MOSFET
N-Channel 650V 16A Tc 260W Tc Through Hole TO-3PN
得捷:
MOSFET N-CH 650V 16A TO3PN
立创商城:
N沟道 650V 16A
贸泽:
MOSFET 650V N-CH MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN
FDA15N65中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 440 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 260 W
输入电容 3.09 nF
栅电荷 63.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 125 ns
输入电容Ciss 3095pF @25VVds
额定功率Max 260 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 260W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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