FDP15N65概述
650V N沟道MOSFET 650V N-Channel MOSFET
N-Channel 650V 15A Tc 250W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
立创商城:
N沟道 650V 15A
贸泽:
MOSFET SINGLE N-CH 500V .38OHM SMPS PWR
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
FDP15N65中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 440 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 125 ns
输入电容Ciss 3095pF @25VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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