FQD7N10LTF

FQD7N10LTF图片1
FQD7N10LTF图片2
FQD7N10LTF图片3
FQD7N10LTF图片4
FQD7N10LTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 5.80 A

漏源极电阻 350 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 25W Tc

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 5.80 A

输入电容Ciss 290pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQD7N10LTF
型号: FQD7N10LTF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3Pin2+Tab DPAK T/R
替代型号FQD7N10LTF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQD7N10LTF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQD7N10LTM

飞兆/仙童

类似代替

FQD7N10LTF和FQD7N10LTM的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台