FM24CL64 系列 64 Kb 8 K x 8 3 V 3 us 串行 F-RAM 存储器 - TDFN-8
F-RAM,
铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。
非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗
立创商城:
FM24CL64B-DG
得捷:
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8TDFN
欧时:
Cypress Semiconductor FM24CL64B-DG 64kbit 串行 - I2C FRAM 存储器, 8K x 8 位, 2.7 → 3.65 V
贸泽:
F-RAM IIC FRAM 64K 3V
e络盟:
铁电存储器FRAM, 64 Kbit8K x 8I2C, 1 MHz, 2.7 V至3.65 V电源, DFN-8
艾睿:
FRAM 64Kbit Serial-2Wire Interface 3V/3.3V Automotive 8-Pin TDFN EP Tube
安富利:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 64K-Bit 3V/3.3V 8-Pin TDFN EP
Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 64K-Bit 3V/3.3V 8-Pin TDFN EP
供电电流 0.3 mA
针脚数 8
时钟频率 1 MHz
存取时间 550 ns
存取时间Max 550 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.65 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TDFN-8
长度 4 mm
宽度 4.5 mm
高度 0.7 mm
封装 TDFN-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FM24CL64B-DG Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
FM24CL64B-DGTR 赛普拉斯 | 完全替代 | FM24CL64B-DG和FM24CL64B-DGTR的区别 |
FM25CL64B-DG Ramtron | 功能相似 | FM24CL64B-DG和FM25CL64B-DG的区别 |