FDS4072N3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 12.4 A
漏源极电阻 12.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3W Ta
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 12.4 A
上升时间 12.0 ns
输入电容Ciss 4299pF @20VVds
额定功率Max 1.5 W
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDS4072N3
型号： FDS4072N3
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
替代型号FDS4072N3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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