FDMC8010ET30

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FDMC8010ET30中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2800 mW

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 5860pF @15VVds

下降时间 5.3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 65W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 Power-33

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMC8010ET30
型号: FDMC8010ET30
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8Pin Power 33 EP T/R

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