FP100R12KT4BOSA1

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FP100R12KT4BOSA1概述

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module

Summary of Features:

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Low stray inductance module design
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High reliability and power density
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Copper base plate for optimized heat spread
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Solderable pins
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Low switching losses
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High switching frequency
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RoHS-compliant modules

 

Benefits:

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Compact module concept
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Optimized customer’s development cycle time and cost
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Configuration flexibility
FP100R12KT4BOSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 515 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 6.3nF @25V

额定功率Max 515 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 515000 mW

封装参数

引脚数 35

封装 AG-ECONO3-3

外形尺寸

封装 AG-ECONO3-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives, Induction Heating, Air Conditioning System

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

FP100R12KT4BOSA1引脚图与封装图
FP100R12KT4BOSA1电路图
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型号: FP100R12KT4BOSA1
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module

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