FDP4030L

FDP4030L中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 55 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 37.5 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 8 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDP4030L
型号: FDP4030L
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
替代型号FDP4030L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDP4030L

Fairchild 飞兆/仙童

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