FGH75T65SQDT-F155参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

FGH75T65SQDT-F155图片1

FGH75T65SQDT-F155概述

FGH75T65SQDT-F155 管装

IGBT 沟槽型场截止通孔 TO-247-3

得捷:
650V 75A FS4 TRENCH IGBT

立创商城:
IGBT, 650 V, 75 A Field Stop Trench

艾睿:
650 V, 75 A Field Stop Trench IGBT

FGH75T65SQDT-F155中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

耗散功率 375 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 76 ns

额定功率Max 375 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGH75T65SQDT-F155

型号： FGH75T65SQDT-F155

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：FGH75T65SQDT-F155 管装