FGA25N120ANTDTU-F109 管装
IGBT NPT 和沟道 1200 V 50 A 312 W 通孔 TO-3P
得捷: IGBT 1200V 50A 312W TO3P
立创商城: 312W 1200V 50A
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube
耗散功率 312000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 350 ns
额定功率Max 312 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 312000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Consumer Appliances
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
数据手册