




MOSFET驱动器, 高压侧, 10V至20V电源, 4A输出, 150ns延迟, SOIC-8
高端 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
得捷:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
立创商城:
高边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A 625 V、4 A、SOIC-8,
e络盟:
MOSFET驱动器, 高压侧, 10V至20V电源, 4A输出, 150ns延迟, SOIC-8
艾睿:
Driver 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N Tube
上升/下降时间 25ns, 15ns
输出接口数 1
针脚数 8
耗散功率 625 mw
下降时间Max 45 ns
上升时间Max 50 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Body Electronics, Comfort and Convenience
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

