FQA10N80C-F109

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FQA10N80C-F109概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V

通孔 N 通道 800 V 10A(Tc) 240W(Tc) TO-3P


得捷:
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P


立创商城:
N沟道 800V 10A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


FQA10N80C-F109中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.93 Ω

耗散功率 240 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 130 ns

输入电容Ciss 2150pF @25VVds

下降时间 80 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 240000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, 照明, 工业

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQA10N80C-F109
型号: FQA10N80C-F109
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V

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