GB2X100MPS12-227

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GB2X100MPS12-227概述

二极管, 碳化硅肖特基, MPS Series, 双隔离, 1.2 kV, 370 A, 796 nC, SOT-227

Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 1200V 185A DC Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC


得捷:
SIC DIODE 1200V 200A SOT-227


立创商城:
1.2kV 185A 1.8V@100A


艾睿:
Silicon Carbide Power


Verical:
Silicon Carbide Power


GB2X100MPS12-227中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.8V @100A

反向恢复时间 0 ns

正向电流 370 A

工作结温Max 175 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买GB2X100MPS12-227
型号: GB2X100MPS12-227
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:二极管, 碳化硅肖特基, MPS Series, 双隔离, 1.2 kV, 370 A, 796 nC, SOT-227

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