DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16M x 32 3.3V 90Pin TFBGA T/R
SDRAM Memory IC Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13
得捷: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
存取时间 5.4 ns
电源电压 3V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
封装 TFBGA-90
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准
数据手册